[发明专利]MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面的第二导电类型阱的表面形成栅极结构；步骤二、进行轻掺杂漏站点工艺，包括如下分步骤：步骤21、进行非结晶离子注入；步骤22、进行两次以上的碳离子注入，调节各次碳离子注入的注入角度和注入深度，从而保证各深度处的碳阻挡区的第一侧都位于后续形成的口袋注入区的第一侧的内侧，减少或防止口袋注入区的杂质向沟道侧的第二导电类型阱中扩散。步骤23、进行口袋离子注入形成口袋注入区。步骤24、进行轻掺杂漏注入。本发明能减少或防止口袋注入区的杂质向沟道侧的阱中扩散从而减少或防止对沟道产生不利影响，抑制沟道中的掺杂的随机波动，提高器件的稳定性。

主权项

1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成有第二导电类型阱，在所述第二导电类型阱的表面形成栅极结构，被所述栅极结构所覆盖区域的所述第二导电类型阱表面用于形成沟道；步骤二、进行轻掺杂漏站点工艺，包括如下分步骤：步骤21、进行非结晶离子注入形成硅非晶化区；步骤22、进行碳离子注入形成碳阻挡区，所述碳离子注入的次数至少包括两次，调节各次碳离子注入的注入角度和注入深度来调节所述碳阻挡区的深度以及各深度处的所述碳阻挡区的第一侧向所述栅极结构内侧延伸的横向距离，并保证后续形成的口袋注入区位于所述碳阻挡区的深度范围内且在各所述深度处所述碳阻挡区的第一侧都位于所述口袋注入区的第一侧的内侧，减少或防止所述口袋注入区的第一侧向所述栅极结构所覆盖区域的所述第二导电类型阱中扩散并进而减少或防止对沟道产生不利影响；步骤23、进行口袋离子注入形成所述口袋注入区；步骤24、进行轻掺杂漏注入形成轻掺杂漏区。