[发明专利]基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811267797.6 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109659431A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 修飞;花蔚蔚 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 周中民 |
| 地址： | 210009 江苏省南京市鼓*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器及其制备方法，该存储器包括自下而上依次设置的衬底、基于苯四胺的配位聚合物薄膜、上电极；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜的厚度为300nm。本发明通过控制配位聚合物薄膜的厚度为300nm，实现了非易失性闪存存储器的制备，并且器件具有优异的开关比、较小的开启电压以及良好的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 配位聚合物薄膜 四胺 制备 闪存存储器 非易失性闪存存储器 循环稳定性 开启电压 依次设置 存储器 电极 开关比 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底(1)、基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)、上电极(3)；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)的厚度为300nm。
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