[发明专利]一种深紫外线发光二极管结构以及其制作方法在审
| 申请号： | 201811267955.8 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109244210A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 佘庆威;郭浩中;杨谨嘉;朱国雄;林志豪 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外线发光二极管结构以及其制作方法，其中，一种深紫外线发光二极管结构，主要是在磊晶前，在蓝宝石基板上形成一层的纳米碳管层；其后，才再进行后续氮化铝缓冲层以及深紫外线发光二极管的磊晶和晶片制作方法。通过纳米碳管可吸收较常见的248nm氟化氩(KrF)准分子雷射，因而不再需要昂贵的氟化氩准分子雷射，从而达到了降低生产成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外线 发光二极管结构 氟化氩 准分子 雷射 磊晶 氮化铝缓冲层 发光二极管 蓝宝石基板 纳米碳管层 晶片制作 纳米碳管 可吸收 制作 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外线发光二极管结构，其特征在于，深紫外线发光二极管结构包括：一深紫外线发光二极管层；以及一碳层，其是形成于所述深紫外线发光二极管层的一侧。
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