[发明专利]一种后畸变CMOS低噪声放大器

摘要

本发明属于集成电路领域，具体提供一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(M_L1与M_R1)、级联级(M_L2与M_R2)、后畸变消除级(M_1aL与M_1aR)及谐振负载，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸变消除级即为工作在强反型区的NMOS晶体管，连接在级联级。本发明后畸变CMOS低噪声放大器能够显著提高LNA的线性度，并同时获得较高的增益，以及较低的噪声性能。

主权项

1.一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(ML1与MR1)、级联级(ML2与MR2)、后畸变消除级(M1aL与M1aR)及谐振负载，其特征在于，所述级联级包括：NMOS管ML2与NMOS管MR2，所述NMOS管ML2与MR2的栅极均连接到电源VDD，NMOS管ML2与MR2的漏极分别通过谐振电路连接到电源VDD；所述输入级包括：NMOS管ML1与NMOS管MR1、电容CcL与电容CcR、电感Ls，其中，所述NMOS管ML1的漏极连接NMOS管ML2的源极、源极作为输入信号的正端+Vin、栅极经偏置电阻接偏置电压VBais，NMOS管MR1的漏极接NMOS管MR2的源极、源极作为输入信号的负端‑Vin、栅极经偏置电阻接偏置电压VBais，电容CcL连接于NMOS管ML1的源极与NMOS管MR1的栅极之间，电容CcR连接于NMOS管ML1的栅极与NMOS管MR1的源极之间；NMOS管ML1和NMOS管MR1的源极均通过电感Ls后接地；所述后畸变消除级包括：NMOS管M1aL与NMOS管M1aR、栅极隔直电容及栅极偏置电阻，其中，所述NMOS管M1aL的源级连接到NMOS管ML2的源极、NMOS管M1aR的源级连接到NMOS管MR2的源极，所述NMOS管M1aL与M1aR的栅极分别通过栅极偏置电阻连接到偏置电压Vb，NMOS管M1aL与M1aR的漏极相连、且接到电源VDD，所述NMOS管M1aL的源级通过栅极隔直电容连接到M1aR的漏级、所述NMOS管M1aR的源级通过栅极隔直电容连接到M1aL的漏级。