[发明专利]一种优化沟槽的肖特基结势磊二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种优化沟槽的肖特基结势磊二极管及其制作方法，包括：S1、提供一SiC基体，该SiC基体的上表面具有沟槽；S2、在所述SiC基体的上表面除所述沟槽以外的其它部分依次沉积含硼的第一SiO₂薄膜层、含磷的第二SiO₂薄膜层；S3、采用湿法刻蚀对所述第一SiO₂薄膜层和所述第二SiO₂薄膜层进行刻蚀，以形成所述台阶；S4、对所述沟槽进行P型离子注入掺杂，形成所述沟槽P型离子注入掺杂区。该方法通过对SiO₂薄膜进行改善并采用湿法腐蚀工艺取代干法刻蚀工艺，以减少SiO₂薄膜沉积、PGrid光罩制作以及对应的涂胶、曝光、显影、去胶等工艺流程，从而减少产品制造成本，缩短产品加工周期。

主权项

1.一种优化沟槽的肖特基结势磊二极管，包括SiC基体(10)以及SiC基体上表面的沟槽P型离子注入掺杂区(20)，其特征在于：所述SiC基体的上表面除所述沟槽P型离子注入掺杂区(20)所在位置以外，其它部分覆盖有第一SiO2薄膜层(31)和第二SiO2薄膜层(32)；其中，所述第二SiO2薄膜层(32)位于所述第一SiO2薄膜层(31)之上，并且所述第二SiO2薄膜层(32)的面积小于所述第一SiO2薄膜层(31)的面积，使得所述第二SiO2薄膜层(32)和所述第一SiO2薄膜层(31)形成台阶。