[发明专利]一种薄膜晶体管在审
申请号: | 201811270519.6 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN109300981A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 肖鹏;黄俊华;袁健;刘佰全;罗东向 | 申请(专利权)人: | 佛山科学技术学院 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/786 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 龙栢强 |
地址: | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管,包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,其中,所述薄膜晶体管中的有源层采用稳定性较好且Hall迁移率高的Nb‑In‑O材料制成的Nb‑In‑O薄膜,使得到的薄膜晶体管具有高稳定性和高Hall迁移率(>30cm2V‑1s‑1)且同时能满足超高分辨率显示驱动需求,同时,使得有源层与其它层结构在叠合后有更好的界面接触,电学性能优良,并且还能进一步有助于底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构的薄膜晶体管有更好的稳定性和更高的Hall迁移率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 迁移率 源层 顶接触结构 接触结构 底栅 顶栅 绝缘层 超高分辨率 电学性能 高稳定性 界面接触 显示驱动 层结构 叠合 基板 漏极 源极 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,其特征在于,所述有源层为采用具有高稳定性和Hall迁移率的材料制得的薄膜,所述薄膜晶体管的截面包括底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构。
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