[发明专利]可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811271504.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109474252B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 谢英;刘胜;蔡耀;邹杨;周杰;刘婕妤;孙成亮 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/04 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法。本发明提供的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，中部具有向上开口的凹槽；SiC/Diamond薄膜层，形成在衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及压电震荡堆部，形成在SiC/Diamond薄膜层上，并且位于贯穿口的正上方，从下至上依次包括：底电极、压电层、和顶电极。本发明利用SiC/Diamond薄膜层声波传播速率快、硬度高的特点，可以很好的抑制压电薄膜中产生的横向振动模式的声波，并且可以减小软质衬底引入的机械阻尼，减少声波能量损耗，降低薄膜体声波谐振器的插入损耗，获得高的Q值和机电耦合系数。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 空腔 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底，中部具有向上开口的凹槽；SiC/Diamond薄膜层，形成在所述衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及压电震荡堆部，形成在所述SiC/Diamond薄膜层上，并且位于所述贯穿口的正上方，从下至上依次包括：底电极、压电层、和顶电极。
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