[发明专利]低栅极电流结型场效应晶体管器件架构有效
| 申请号： | 201811272005.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109728100B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | E·J·考尼 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337;H01L29/423;H01L27/098 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及低栅极电流结型场效应晶体管器件架构。JFET设置有非常低的栅极电流。在测试中，没有观察到对于类似尺寸的反向偏置p‑n结超过理论最小电流的过量栅极电流。JFET包括轻度掺杂的顶部栅极和在JFET的漏极下方的掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 电流 场效应 晶体管 器件 架构 | ||
【主权项】：
1.结型场效应晶体管JFET，包括：作为源极区域的第一掺杂区域；作为漏极区域的第二掺杂区域；底部栅极；顶部栅极；以及在所述第一和第二掺杂区之间延伸的沟道；其中所述顶部栅极是轻度掺杂的，并且形成所述第一和第二掺杂区域，使得它们接触所述顶部栅极或与所述顶部栅极分开小于所述顶部栅极深度的两倍，并且其中至少第三掺杂区域与所述第二掺杂区域相对地形成，但是通过所述沟道与所述第二掺杂区域分开，并且掺杂有与所述第二掺杂区域相同类型的掺杂剂。
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