[发明专利]化学机械研磨方法有效
申请号: | 201811273778.4 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN109822400B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 陈东楷;蔡晴翔;廖高锋;张智桀;龚俊豪;池芳仪;何信颖;许加融;黄惠琪;陈科维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含:提供衬底,所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域;及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含:提供包含第一区域及第二区域的衬底;在所述衬底上提供研磨浆,其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角,且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角;使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】:
1.一种平坦化方法,其包括:提供衬底,其中所述衬底的表面包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域;对所述第一区域执行表面处理以使所述第一区域的疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度;及使用研磨浆来研磨所述衬底的所述表面以平坦化所述衬底的所述表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811273778.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。