[发明专利]一种LED芯片的制备方法及LED芯片在审
| 申请号： | 201811274077.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216521A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 邹微微;徐洲;李波;杭伟;赵鹏 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，以简化LED芯片的制备流程，提高芯片的出光率。这种LED芯片制备方法包括：在衬底上形成反射层；在反射层上形成外延层，外延层包括依次形成于反射层上的N型层、发光层和P型层；在P型层上形成窗口层；在窗口层上形成金属薄膜层，金属薄膜呈颗粒状，相邻颗粒之间存在间隙；透过金属薄膜层的间隙蚀刻窗口层后，去除金属薄膜层，使得窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面；在窗口层上形成导电增透膜；在导电增透膜上形成P型电极层，在衬底背面形成N型电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 制备 金属薄膜层 反射层 外延层 增透膜 导电 蚀刻 衬底背面 金属薄膜 相邻颗粒 出光率 粗化面 发光层 颗粒状 上表面 衬底 粗化 去除 芯片 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成反射层；在所述反射层上形成外延层，所述外延层包括依次形成于所述反射层上的N型层、发光层和P型层；在所述P型层上形成窗口层；在所述窗口层上形成金属薄膜层，所述金属薄膜呈颗粒状，相邻颗粒之间存在间隙；透过所述金属薄膜层的所述间隙蚀刻所述窗口层后，去除所述金属薄膜层，使得所述窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面；在所述窗口层上形成导电增透膜；在所述导电增透膜上形成P型电极层，在所述衬底背面形成N型电极层。
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