[发明专利]一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统在审
| 申请号： | 201811274849.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109360798A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;石芝铭;刘贺男;贲建伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 刘微 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，解决采用氢气对衬底表面预处理会破坏二维材料的问题，属于半导体材料生长技术领域。系统包括二维材料生长腔室、外延层生长腔室，以及连通二维材料生长腔室和外延层生长腔室的真空互联腔室，其真空度与二维材料生长腔室和外延层生长腔室相匹配。本发明的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，保证柔性衬底在真空环境下传递，避免柔性衬底受外界环境污染，避免去除污染物带来的柔性衬底的损伤，可以直接外延生长高质量氮化物外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 生长腔室 衬底 二维材料 一体化系统 氮化物 外延层 构建 半导体材料生长 预处理 氮化物外延层 外界环境污染 衬底表面 外延生长 真空环境 氢气 腔室 去除 连通 匹配 污染物 损伤 互联 传递 保证 | ||
【主权项】：
1.一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，包括以下部分：二维材料生长腔室，用于提供满足二维材料衬底层的生长的真空环境；外延层生长腔室，用于提供满足氮化物外延层的生长的真空环境；以及连通二维材料生长腔室和外延层生长腔室的真空互联腔室，用于将二维材料衬底由二维材料生长腔室真空传递至外延层生长腔室，其真空度与二维材料生长腔室和外延层生长腔室相匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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