[发明专利]陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片在审
| 申请号： | 201811274977.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129129A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 宁旭斌;朱春林;戴小平;罗海辉;刘国友;伊恩·迪瓦尼 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个所述元胞包括依次排列的第一沟槽真栅、第二沟槽真栅及一个或多个沟槽陪栅，各沟槽真栅与栅极区相连，其特征在于，所述沟槽陪栅浮空设置，本发明的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片解决了沟槽栅IGBT在低感应用环境下栅阻对开通di/dt控制有限的问题，实现了栅极电阻对IGBT开通速度(di/dt)的有效的调控,并优化了开通速度di/dt和开通损耗两者间的权衡关系。在不增加di/dt的情况下开通损耗也能得到有效的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 陪栅浮空型 沟槽 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
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