[发明专利]一种具有反波导层结构的半导体激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811277048.1 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109193344A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李弋;周坤;杜维川;康俊杰;高松信;武德勇;胡耀;张亮 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/20 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有反波导层的半导体激光器及其制造方法，该方案包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；外延层设置在衬底顶面上；前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；外延层上设置有凸出的条形震荡区；条形震荡区的两侧中，至少有一侧设置有反波导层；反波导层设置在外延层上。该方案可以比现有模式控制技术在震荡区两侧更好的抑制高阶模式，从而改善光束质量，提高半导体激光器的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 反波导 外延层 半导体激光器 震荡区 衬底 前腔 后腔面 衬底侧面 高阶模式 模式控制 波导层 层结构 凸出的 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有反波导层的半导体激光器，其特征是：包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；所述外延层设置在衬底顶面上；所述前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；所述外延层上设置有凸出的条形震荡区；所述条形震荡区的两侧中，至少有一侧设置有反波导层；所述反波导层设置在外延层上。
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