[发明专利]多栅极半导体装置和其形成方法在审
| 申请号： | 201811278768.X | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110491942A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;陈奕升;陈自强;黄士轩;江宏礼 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 蒋林清<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本揭露涉及多栅极半导体装置和其形成方法。一种多栅极半导体结构，其包含多个纳米线、放置在所述多个纳米线上方的栅极结构和在所述多个纳米线的各者的两端处的源极/漏极结构。所述源极/漏极结构包含导体，且所述导体的底面低于所述多个纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 栅极半导体 源极/漏极 导体 栅极结构 底面 | ||
【主权项】：
1.一种多栅极半导体结构，其包括：/n多个纳米线；/n栅极结构，其放置于所述多个纳米线上方；/n源极/漏极结构，其在所述多个纳米线的各者的两端处，其中所述源极/漏极结构包括半导体层、金属部分和金属硅化物层，/n其中所述金属部分的底表面低于所述多个纳米线。/n
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