[发明专利]一种MC计算放射性屏蔽厚度值的方法在审
| 申请号： | 201811279900.9 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109635227A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈成;李泽良;张晓辉;马兰;张晓西;周跃 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 |
| 主分类号： | G06F17/10 | 分类号： | G06F17/10;G06F17/50 |
| 代理公司： | 武汉智盛唯佳知识产权代理事务所(普通合伙) 42236 | 代理人： | 胡红林 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MC计算放射性屏蔽层厚度值的方法，该方法包括：通过对μm＝LnK/dρ线性拟合得到质量吸收系数μm，再根据得到质量吸收系数μm计算得到屏蔽层厚度d，本发明方法基于蒙特卡洛的计算方法，计算出屏蔽材料的质量吸收系数(质量吸收系数等于线吸收系数除以材料的密度)，针对复杂源项和结构布置能够快速计算出屏蔽材料的质量厚度，且该方法不限于屏蔽材料的种类和设备形状，适用于含有多种放射性核素的复杂源项。 | ||
| 搜索关键词： | 质量吸收系数 屏蔽材料 放射性屏蔽 源项 放射性核素 结构布置 快速计算 设备形状 吸收系数 线性拟合 层厚度 屏蔽层 | ||
【主权项】：
1.一种MC计算放射性屏蔽层厚度值的方法，其特征在于，包括：S1、通过对公式(1)线性拟合得到质量吸收系数μm，所述公式(1)为：μm＝LnK/dρ (1)式中，μm为质量吸收系数，可直接反映出单位质量的屏蔽材料对放射性光子的吸收效果；d为MC程序中设定的屏蔽层厚度值；ρ为材料的密度；K为透射率的倒数值，即D0/D，D0为放射性光子未穿过物质前的光子剂量率，D为放射性光子穿过厚度为d的屏蔽层后的光子剂量率；Ln为以e为底K的对数；S2、将得到质量吸收系数μm乘密度得到线吸收系数μ带入公式(2)中，即可计算得到屏蔽层厚度d，所述公式(2)为：D＝D0e‑μd (2)式中，d为屏蔽层厚度值。
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