[发明专利]一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201811280351.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129133B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黄宝伟;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，涉及半导体领域，本公开晶体管包括背面金属层(101)、背面第一导电类型区(102)、缓冲层(104)、漂移层(105)、正面第一导电类型区(108)、栅极(106)、正面金属层(110)、层间绝缘层(109)、背面第二导电类型区(103)和正面第一导电类型区(108)，二极管沟槽区(106‑1)，二极管沟槽区(106‑1)直接接触正面金属层(110)，被第三导电类型区(111)包裹；第三导电类型区(111)注入以下物质中的至少一者：重金属、氢离子、氦离子；本公开第三导电类型区(111)注入的物质可以吸附多数的空穴或者电子载流子，因而能实现抑制二极管反向恢复时的过冲电压尖峰，减小反向恢复时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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