[发明专利]一种提高阻变存储器稳定性的方法及其阻变存储器在审
| 申请号： | 201811280758.X | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109494301A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李颖弢;李晓燕 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用新型二维材料提高阻变存储器稳定性的实现方法，是将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间。本发明中将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间，石墨烯可视作氧势垒，在氧离子扩散过程中防止其进一步移入顶部金属电极，随着阻变循环的增加，因为没有电极氧化还原反应的影响，阻变存储层界面附近的氧化还原过程变得稳定，能够使得阻变存储器性能参数变得更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 石墨烯薄膜 导电电极 阻变存储 阻挡层 薄膜 嵌入 顶部金属电极 氧化还原反应 阻变存储层 二维材料 性能参数 氧化还原 石墨烯 氧离子 电极 氧势 移入 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种提高阻变存储器稳定性的方法，其特征在于：上电极与下电极之间设有阻变存储层，在阻变存储层与上电极之间嵌入一层石墨烯薄膜阻挡层。
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