[发明专利]晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201811281935.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109411340A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 沈新林;王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一键合面，第二晶圆包括第二键合面，第一键合面上形成有含有硅氧键层的第一膜层，第二键合面上形成有含有硅氧键的第二膜层；在第一膜层中引入硅氮键层；对第一膜层及第二膜层进行等离子体活化处理；对第一膜层及第二膜层进行清洗处理；对第一膜层及第二膜层进行键合处理，以在键合界面形成超临界状态的氨气。从而在较低的反应温度及反应压强的条件下，减小气泡尺寸，减少气泡数量，提高产品成品率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 第一膜层 晶圆 膜层 键合 硅氧键 键合面 氨气 等离子体活化 产品成品率 超临界状态 反应压强 键合界面 晶圆键合 清洗处理 硅氮键 减小 圆键 种晶 引入 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面，所述第二晶圆包括第二键合面，所述第一键合面上形成有含有硅氧键层的第一膜层，所述第二键合面上形成有含有硅氧键的第二膜层；在所述第一膜层中引入硅氮键层；对所述第一膜层及所述第二膜层进行等离子体活化处理；对所述第一膜层及所述第二膜层进行清洗处理；对所述第一膜层及所述第二膜层进行键合处理，形成键合界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
