[发明专利]发光二极管的制造方法及发光二极管芯片

摘要

本发明提供了一种发光二极管的制造方法及发光二极管芯片，涉及半导体发光二极管LED的技术领域，通过在外延片和硅片上生成键合层，该键合层由钛金属层、锡镍金属层构成，并将键合层在预设的键合条件下进行键合生成片源，并通过一系列的过程生成LED。本发明提供的发光二极管的制造方法及发光二极管芯片中，因镍锡焊料相对金金焊料的成本较低，故通过采用钛、镍、锡金属作为键合层减小了产品制作的成本，同时使用该键合层制造LED时采用低温进行键合，减小了键合过程中产生的应力，提高了产品后期制作的成品率。

主权项

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在砷化镓衬底上外延制作外延片；在所述外延片表面生长反射镜介质膜层，在所述反射镜介质膜层上制作介质孔；在所述反射镜介质膜层表面制作全角反射镜ODR金属层，所述ODR金属层通过所述介质孔与所述外延片的P型窗口层相连；制作硅片，在所述ODR金属层的表面以及所述硅片的第一表面分别镀键合层，所述键合层包括钛金属层和锡镍结构层；将所述ODR金属层上的所述键合层与所述硅片上的所述键合层在预设的条件下进行键合，形成片源；去除所述外延片的砷化镓衬底、缓冲层以及腐蚀截止层，暴露出所述外延片的N型欧姆接触层；在所述N型欧姆接触层上沉积二氧化硅，形成二氧化硅膜层，在所述二氧化硅膜层上，通过正胶光刻工艺，制作出第一光刻图形；根据所述第一光刻图形，刻蚀所述二氧化硅膜层以及所述N型欧姆接触层，去掉刻蚀后的所述片源表面的正胶以及所述二氧化硅膜层，暴露出刻蚀后的所述N型欧姆接触层，刻蚀后的所述N型欧姆接触层为第二N型欧姆接触层；在所述第二N型欧姆接触层上，光刻定义出N面电极图形，根据N面电极图形制作N面电极；在制作了所述N面电极后的所述片源上光刻出所述片源的台面图形，根据所述台面图形，干蚀刻出所述片源的切割道，所述切割道的深度至少要达到所述外延片的P型窗口层；在所述外延片上的N面粗化层光刻出粗化图形，根据所述粗化图形，通过湿法粗化的方法将所述外延片的N面粗化层的表面粗化；在粗化后的所述片源的侧表面以及所述N面粗化层的边缘沉积保护层；在所述硅片的第二表面，将所述硅片减薄，在减薄后的所述硅片的第二表面制作P面电极；对制作所述P面电极后的所述片源进行切割及裂片形成发光二极管。