[发明专利]静态随机存取存储器单元结构有效
| 申请号： | 201811283973.5 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128995B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 邢溯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种静态随机存取存储器单元结构，其包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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