[发明专利]延长使用寿命的VCSEL芯片及制作方法和电子器件在审
| 申请号： | 201811285173.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109038217A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片及制作方法和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜保护多量子阱有源层不被水汽侵蚀；同时第二半导体多层膜反射镜能够起到缓冲氧化结构应力的作用，避免在使用VCSEL芯片时产生高温条件下，氧化结构产生的应力对多量子阱有源层造成损坏的情况出现；并且，第二半导体多层膜反射镜还能够阻挡氧化结构中的杂质扩展至多量子阱有源层，保证VCSEL芯片的使用寿命较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体多层膜反射镜 多量子阱有源层 氧化结构 延长使用寿命 电子器件 限制层 量子阱有源层 阻挡 高温条件 使用寿命 水汽 衬底 缓冲 制作 背离 侵蚀 保证 | ||
【主权项】：
1.一种延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底正面上的第一半导体多层膜反射镜；位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的多量子阱有源层；位于所述多量子阱有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜；位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的限制层，所述限制层包括导电结构和环绕所述导电结构的氧化结构；位于所述限制层背离所述衬底一侧的第三半导体多层膜反射镜，所述第三半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜反射镜的掺杂类型相同，且均与所述第一半导体多层膜反射镜的掺杂类型相反；位于所述第三半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层；以及，位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧的第一电极，及位于所述衬底背面上的第二电极。
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