[发明专利]三极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种三极管及其制作方法，该方法通过在衬底的上表面生长外延层，并制作阱区；对外延层进行掺杂并在所述外延层内形成基区；在所述基区的上表面形成发射极多晶硅层；在含氧气氛下进行热驱入，在所述基区内形成发射区；在所述发射极多晶硅层的外表面生长氧化层；在所述基区的上表面形成基极多晶硅层；形成连接所述发射极多晶硅层的发射极、连接所述基极多晶硅层的基极和连接所述阱区的集电极。本发明所述三极管的制作方法通过先形成发射极多晶硅层，利用所述发射极多晶硅层对发射区‑基区界面进行保护，从而避免在制作三极管的过程中对所述发射区‑基区界面造成刻蚀损伤，进而保证所述三极管的放大系数的稳定性。

主权项

1.一种三极管的制作方法，其特征在于，包括：S01：提供基片，所述基片包括第一导电类型的衬底、位于所述衬底内且至少部分暴露于所述衬底的上表面的第二导电类型的埋层和位于所述衬底及所述埋层的上表面的第二导电类型的外延层；所述基片上设置有第一区和邻接所述第一区的第二区，在所述第二区内形成有贯穿所述外延层且延伸至所述埋层的第二导电类型的阱区；S02：在所述外延层的上表面生长第一介质层，对所述第一介质层进行贯穿刻蚀以形成对应所述第一区的窗口；S03：通过所述窗口对所述外延层进行掺杂并在所述外延层内形成第一导电类型的基区，所述基区位于所述第一区内；S04：在所述基区的上表面形成掺杂第二导电类型的杂质的掺杂多晶硅层；去除一部分所述掺杂多晶硅层使所述基区的上表面局部裸露以形成位于所述基区的上表面的发射极多晶硅层；S05：在含氧气氛下进行热驱入，所述发射极多晶硅层中的所述第二导电类型的杂质向所述基区扩散并在所述基区内形成发射区，且同时在裸露的所述基区的上表面及所述发射极多晶硅层的外表面生长氧化层；S06：刻蚀所述氧化层并仅保留所述氧化层位于所述发射极多晶硅层的外表面的部分；S07：在所述基区的上表面形成掺杂第一导电类型的杂质的基极多晶硅层；S08：在所述氧化层、所述基极多晶硅层及所述第一介质层的上表面生长第二介质层；S09：形成贯穿所述第二介质层和所述氧化层且对应所述发射极多晶硅层的发射极接触孔、贯穿所述第二介质层且对应所述基极多晶硅层的基极接触孔、贯穿所述第二介质层和所述第一介质层且对应所述阱区的集电极接触孔；S10：形成连接所述发射极多晶硅层的发射极、连接所述基极多晶硅层的基极和连接所述阱区的集电极。