[发明专利]一种氮化铝模板、深紫外发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811287339.9 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109638126B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;董彬忠;张奕;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝模板、深紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一平片衬底；采用磁控溅射技术在平片衬底上沉积氮化铝成核层；采用光刻技术和蚀刻技术对氮化铝成核层进行图形化，氮化铝成核层变成多个间隔设置在平片衬底上的周期结构；对多个周期结构进行1300℃～1600℃的退火处理；采用物理沉积技术在多个周期结构和各个周期结构之间的平片衬底上形成用于抑制外延生长的介质；采用光刻技术和蚀刻技术去除多个周期结构上的介质；采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在多个周期结构上外延生长氮化铝外延层，氮化铝外延层在介质上横向聚合，形成氮化铝模板。本发明可提供高质量的氮化铝模板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 模板 深紫 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一平片衬底；采用磁控溅射技术在所述平片衬底上沉积氮化铝成核层；采用光刻技术和蚀刻技术对所述氮化铝成核层进行图形化，所述氮化铝成核层变成多个间隔设置在所述平片衬底上的周期结构；对多个所述周期结构进行1300℃～1600℃的退火处理；采用物理沉积技术在多个所述周期结构和各个所述周期结构之间的平片衬底上形成用于抑制外延生长的介质；采用光刻技术和蚀刻技术去除多个所述周期结构上的介质；采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在多个所述周期结构上外延生长氮化铝外延层，所述氮化铝外延层在所述介质上横向聚合，形成二维平面状的氮化铝模板。
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