[发明专利]SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法

摘要

本发明公开了，SiCMOSFET门极驱动电压控制电路，包括FPGA芯片，FPGA芯片分别连接有门极驱动级、电流检测电路、电压检测电路。本发明还公开了SiCMOSFET的门极驱动电压控制方法，该方法通过本发明第一种技术方案的SiCMOSFET门极驱动电压控制电路实现电压控制，具体包括在SiCMOSFET门极驱动电压控制电路中接入SiCMOSFET，并将FPGA芯片与开关连接，在开关打开或关断时，FPGA芯片控制门极驱动级输出不同的门极驱动电压，使SiCMOSFET完全导通或SiCMOSFET完全关断。本发明能够有效的抑制大功率SiCMOSFET高频应用中出现的过冲、振荡、EMI等问题。

主权项

1.SiCMOSFET门极驱动电压控制电路，其特征在于，包括FPGA芯片(1)，所述FPGA芯片(1)分别连接有门极驱动级(2)、电流检测电路(3)、电压检测电路(4)；所述电流检测电路(3)包括均与FPGA芯片(1)连接的电流上升沿检测电路和电流下降沿检测电路，所述电压检测电路(4)包括与FPGA芯片(1)依次连接的比较器CP3和阻容分压电路。