[发明专利]一种碳化硅器件制造方法在审
| 申请号： | 201811288664.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109461648A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 邵锦文;侯同晓;张佳;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张晓 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种碳化硅器件制造方法，包括如下步骤：步骤1：在SiC外延片上生长SiO2掩膜层；步骤2：将带有SiO2掩膜层的SiC外延片放入SiC刻蚀机中进行刻蚀，得到SiC沟槽；步骤3：对带有SiC沟槽的SiC外延片进行退火。本发明通过在制备SiO2掩膜层过程中采用“干法刻蚀+湿法刻蚀”，利用湿法刻蚀去除干法刻蚀SiO2掩膜层的过程中会产生的微掩膜，在制备SiC沟槽过程中采用“干法刻蚀+氧化刻蚀”，利用氧化刻蚀的方法去除干法刻蚀SiC沟槽的过程中产生的微掩膜和损伤层，解决了现有技术中微掩膜残留在刻蚀腔体内，影响碳化硅器件质量的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 干法刻蚀 掩膜层 碳化硅器件 外延片 刻蚀 掩膜 湿法刻蚀 去除 制备 退火 刻蚀机 刻蚀腔 损伤层 放入 制造 残留 体内 生长 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在SiC外延片上生长SiO2掩膜层；步骤2：将带有SiO2掩膜层的SiC外延片放入SiC刻蚀机中进行刻蚀，得到SiC沟槽；步骤3：对带有SiC沟槽的SiC外延片进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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