[发明专利]刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811289425.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128694A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;平延磊;马强 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底上形成待刻蚀材料层，待刻蚀材料层的上表面具有高度差；3)于待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；4)于抗反射层的上表面形成光致酸产生剂层；5)对光致酸产生剂层进行曝光，以使得光致酸产生剂层曝光区域上部形成酸化区域；6)对酸化区域进行处理，以使得酸化区域转化为掩膜层；7)依据掩膜层依次刻蚀光致酸产生剂层、抗反射层及待刻蚀材料层。本发明的刻蚀方法中，掩膜层和位于掩膜层下方的光致酸产生剂层共同作为刻蚀掩膜层，光致酸产生剂层的厚度不需要太厚即可达到很好的刻蚀阻挡效果，不会存在解像度降低、刻蚀阻挡效果不好等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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