[发明专利]一种沟槽保护圈结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811289747.8 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128959A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种沟槽保护圈结构及其形成方法，形成方法包括：提供一基底，基底具有多个芯片区域，在相邻芯片区域间设置保护圈区域；在保护圈区域内形成沟槽，在沟槽内形成字线结构，字线结构上表面不高于基底上表面；在基底上层叠状设置多个金属互连层，相邻的金属互连层之间设置金属间介电层，于金属间介电层内形成多个第一连接件连接相邻的金属互连层，最底层的金属互连层与基底间设置层间介电层，于层间介电层中设置多个第二连接件，多个第二连接件中的至少一个使最底层的金属互连层与字线结构连接，从而形成沟槽保护圈结构。本发明的方法形成的沟槽保护圈结构能够减少字线通道的泄露路径，同时能够避免浮动节点电位浮动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 保护 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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