[发明专利]一种可实现磁状态转换的微流控芯片有效
| 申请号： | 201811290085.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109248721B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王光辉;刘伉伉;谭杰;王夷惠;张畅斌 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京碟光生物科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210023 江苏省南京市栖霞区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可以切换磁状态的结构，以解决样品检测中，有磁力状态和无磁力状态之间的转换，有磁力状态吸附反应样品中的磁珠结合物，便于样品的清洗；无磁力状态磁珠结合物悬浮状态，便于样品的充分反应。本发明生产工艺较为简单，转换速度较快，能够实现微流控芯片上样品检测对与磁状态转换的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 状态 转换 微流控 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种可实现磁状态转换的微流控芯片，包括上层芯片、下层芯片，上层芯片与下层芯片共同的旋转轴，其特征在于，上层芯片上设置有一个以旋转轴为圆心的弧形缺口，下层芯片上设置有控制杆，所述控制杆穿过所述弧形缺口，使上层芯片与下层芯片在弧形缺口与控制杆限制的范围内相对旋转移动，下层芯片上设置有磁块，上层芯片上设置有样品腔，所述磁块与所述样品腔与所述旋转轴的半径距离相同，所述上层芯片和所述下层芯片围统旋转轴相对运动时，可实现所述磁块与所述样品腔的“重叠”与“分离”。
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