[发明专利]薄膜晶体管结构及沟道电阻和接触电阻的测量方法有效
| 申请号： | 201811290149.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109637944B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱茂霞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01R27/20;G01R27/08 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管结构及沟道电阻和接触电阻的测量方法。所述薄膜晶体管结构包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层以及设于所述有源层上的依次间隔排列的源极、测量电极和漏极；所述测量电极与所述源极之间的间隔距离不同于所述测量电极与所述漏极之间的间隔距离，在有源层上设置测量电极，进而通过测量所述测量电极上的电压和流过漏极的电流，确定所述薄膜晶体管的沟道电阻和接触电阻，能够通过单颗薄膜晶体管，快速准确完成薄膜晶体管的沟道电阻和接触电阻的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 沟道 电阻 接触 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的栅极(2)、设于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的有源层(4)以及设于所述有源层(4)上的依次间隔排列的源极(5)、测量电极(6)和漏极(7)；所述测量电极(6)与所述源极(5)之间的间隔距离不同于所述测量电极(6)与所述漏极(7)之间的间隔距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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