[发明专利]鳍式场效晶体管(FinFET)装置结构在审
| 申请号： | 201811290156.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109801969A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张中怀;王朝勋;赵高毅;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种鳍式场效晶体管装置结构。鳍式场效晶体管装置结构包括在鳍结构上形成栅极结构和在鳍结构上形成源极/漏极接触结构。鳍式场效晶体管装置结构也包括在源极/漏极接触结构上形成源极/漏极导电插塞，且源极/漏极导电插塞包括第一阻障层和第一导电层。鳍式场效晶体管装置结构包括在栅极结构上形成栅极接触结构，且栅极接触结构包括第二阻障层和第二导电层。鳍式场效晶体管装置结构包括第一隔离层围绕源极/漏极导电插塞，且第一阻障层在第一隔离层和第一导电层之间。第二隔离层围绕栅极接触结构，且第二阻障层在第二隔离层和第二导电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效晶体管 装置结构 源极/漏极 隔离层 阻障层 导电插塞 栅极接触 第二导电层 第一导电层 接触结构 栅极结构 鳍结构 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：一栅极结构，形成在一鳍结构上；一源极/漏极接触结构，形成在该鳍结构上；一源极/漏极导电插塞，形成在该源极/漏极接触结构上，其中该源极/漏极导电插塞包括一第一阻障层和一第一导电层；一栅极接触结构，形成在该栅极结构上，其中该栅极接触结构包括一第二阻障层和一第二导电层；一第一隔离层，围绕该源极/漏极导电插塞，其中该第一阻障层在该第一隔离层和该第一导电层之间；以及一第二隔离层，围绕该栅极接触结构，其中该第二阻障层在该第二隔离层和该第二导电层之间。
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