[发明专利]半导体器件与其制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该方法包括：提供具有源区和漏区的半导体预备体；在源区和/或漏区的裸露表面上依次叠置设置至少两个金半单元，各金半单元沿远离半导体预备体的方向上依次包括半导体层和金属层，其中，各半导体层的材料独立地选自GeSi、Si或Ge，多个金半单元中，与半导体预备体距离最小的金半单元为第一金半单元，第一金半单元包括第一半导体层和第一金属层，第一金属层的金属的功函数小于其他的金属层的功函数；对设置有多个金半单元的半导体预备体进行热处理，使得半导体层的至少部分材料和相邻的金属层的部分材料之间发生反应，形成至少三个金属半导体化合物层。该制作方法制作得到的半导体器件的电阻较小。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供具有源区和漏区的半导体预备体；在所述源区和/或所述漏区的裸露表面上依次叠置设置至少两个金半单元，各所述金半单元沿远离所述半导体预备体的方向上依次包括半导体层和金属层，其中，各所述半导体层的材料独立地选自GeSi、Si或Ge，多个所述金半单元中，与所述半导体预备体距离最小的所述金半单元为第一金半单元，所述第一金半单元包括第一半导体层和第一金属层，所述第一金属层的金属的功函数小于其他的所述金属层的功函数；对设置有多个所述金半单元的所述半导体预备体进行热处理，使得所述半导体层的至少部分材料和相邻的所述金属层的部分材料之间发生反应，形成至少三个金属半导体化合物层。