[发明专利]SLC页读取在审
| 申请号： | 201811291888.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109727622A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | H·R·桑吉迪;S·A·斯托勒;辉俊胜;A·马尔谢;G·S·阿尔萨苏阿;K·K·姆奇尔拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在一些实例中公开了系统、方法、机器可读媒体和NAND存储器装置，其利用较高读取余量单元类型来提供较细粒度读取干扰指示符而不需要利用虚设单元。举例来说，NAND架构可具有经配置为SLC或MLC单元的一些单元。SLC或MLC单元具有较多的读取干扰余量，即，这些单元可在位错误发生之前承受比TLC或QLC单元更多的进入单元的读取干扰电流泄漏。这些较高余量单元可充当用于具有相对较低读取干扰余量的一组单元的所述读取干扰指示符。由于存在这些较高余量单元的页比虚设单元的页更多，因此这些指示符可充当比所述虚设页更小的一组页。这减少了完成读取干扰扫描所需的时间，因为需要扫描较少的页。 | ||
| 搜索关键词： | 读取干扰 指示符 读取 虚设单元 高余量 扫描 机器可读媒体 错误发生 单元类型 电流泄漏 细粒度 组单元 在位 虚设 配置 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器装置，其包括：NAND单元池；以及控制器，其执行致使所述控制器执行操作的指令，所述操作包括：接收读取所述NAND单元池的经指示页的命令；以及响应于接收到所述命令，将测试电压施加到所述NAND单元池的第二页，其中所述第二页是与包含所述第一页的所述NAND单元池的一组页对应的读取干扰指示符页，且所述读取干扰指示符页由具有比所述第一页大的读取干扰余量的类型的NAND单元构成。
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