[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811292012.0 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109786357A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 徐顺硕;白宗玟;朴水贤;安商燻;吴赫祥;李义福 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 第一层 绝缘膜 蚀刻 半导体器件 第一区域 层间绝缘膜 第二区域 衬底 通孔 布线间隔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连，其中，所述第一上布线包括位于所述第二层间绝缘膜中的第一部分、以及位于所述蚀刻停止膜和所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中的第二部分，并且所述第一上布线的所述第二部分的侧壁包括台阶形状。
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