[发明专利]一种含高介电系数介质块的HEMT器件有效
| 申请号： | 201811293318.8 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109461774B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 罗谦;孟思远;文厚东;姜玄青 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种含高介电系数介质块的HEMT器件，属于半导体技术领域。包括衬底、缓冲层、势垒层、栅极、源极和漏极，衬底上依次设置缓冲层和势垒层，势垒层与缓冲层接触的界面处形成二维导电沟道；源极和漏极分别设置在HEMT器件两侧且均与二维导电沟道形成欧姆接触；源极与漏极之间设置栅极，且栅极位于势垒层上与势垒层形成肖特基接触；势垒层上位于栅极与漏极之间的区域设置有多个高介电系数介质块，多个高介电系数介质块分别与栅极连接并沿栅漏方向延伸，栅极与多个高介电系数介质块形成梳指状结构，高介电系数介质块与漏极不直接连接且介电系数大于势垒层的介电系数。本发明提出的HEMT器件具有高击穿电压的特点，能够满足高工作电压和输出功率的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含高介电 系数 介质 hemt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种含高介电系数介质块的HEMT器件，包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、栅极(4)、源极(5)和漏极(6)，所述衬底(1)上依次设置缓冲层(2)和势垒层(3)，所述势垒层(3)与缓冲层(2)接触的界面处形成二维导电沟道(9)；所述源极(5)和漏极(6)分别设置在所述HEMT器件两侧且均与所述二维导电沟道(9)形成欧姆接触；所述源极(5)与漏极(6)之间设置所述栅极(4)，且所述栅极(4)位于所述势垒层(3)上与所述势垒层(3)形成肖特基接触；其特征在于，所述势垒层(3)上位于栅极(4)与漏极(6)之间的区域设置有多个高介电系数介质块(7)，所述多个高介电系数介质块(7)分别与所述栅极(4)连接并沿栅漏方向延伸，所述栅极(4)与所述多个高介电系数介质块(7)形成梳指状结构，所述高介电系数介质块(7)与所述漏极(6)不直接接触，所述高介电系数介质块(7)的介电系数大于所述势垒层(3)的介电系数。
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