[发明专利]气体供给系统及气体供给方法有效
申请号: | 201811294307.1 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755157B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 泽地淳;纲仓纪彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D7/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接,且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。多个第1气体排出孔连通第1流路与处理空间。第2流路与第2气体的第2气源连接,且形成于顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。第2气体排出孔连通第2流路与处理空间。各第1隔膜阀在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地设置。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体供给系统,向基板处理装置的处理容器内的处理空间供给气体,该气体供给系统具备:第1流路,与第1气体的第1气源连接,且形成于构成所述处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或所述处理容器的侧壁的内部;多个第1气体排出孔,连通所述第1流路与所述处理空间;第2流路,与第2气体的第2气源连接,且形成于所述顶棚部件的内部或所述处理容器的侧壁的内部;多个第2气体排出孔,连通所述第2流路与所述处理空间;及多个第1隔膜阀,各第1隔膜阀在所述第1流路与所述第1气体排出孔之间与所述第1气体排出孔对应地设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造