[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供能提高对准精度的半导体装置的制造方法。检测半导体基板(1)的表面的背面用对准标记(3)，在半导体基板的背面上形成图案化成与表面元件结构相应的电路图案的抗蚀剂掩模。背面用对准标记(3)的检测通过使用与半导体基板的背面(1b)对置的检测器(23)，测量基于从半导体基板的背面(1b)照射的红外光的反射光(22)的反射强度的对比度来进行。背面用对准标记(3)由阶梯差构成，所述阶梯差由半导体基板的表面和形成于半导体基板的表面的沟槽(33、34)的底面形成。在沟槽(33、34)的内部埋入多晶硅膜。背面用对准标记具有成为在与半导体基板的表面平行的方向上并列3个以上沟槽的布局的例如十字状的平面形状。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，在半导体基板的第一主面形成表面元件结构，并且与所述表面元件结构分开地形成预定标记；第二工序，在所述半导体基板的第二主面上形成抗蚀剂膜；第三工序，从所述半导体基板的第二主面向所述半导体基板照射预定波长区域的光，并利用配置在与所述半导体基板的第二主面对向的位置的检测器检测所述预定波长区域的光的反射光而确定所述预定标记的位置；第四工序，将在所述第三工序中确定的所述预定标记的位置作为基准而进行位置对齐，并将与所述表面元件结构相应的预定图案转印在所述抗蚀剂膜上并进行曝光；以及第五工序，将所述抗蚀剂膜作为掩模而进行蚀刻或杂质离子注入，在所述半导体基板的第二主面侧形成所述预定图案的背面元件结构，在所述第一工序中，以如下布局形成从所述半导体基板的第一主面起到达预定深度的多个沟槽，所述布局是：在利用所述检测器检测的所述预定波长区域的光的反射光的与所述半导体基板的第一主面平行的第一方向的检测波形以及与所述半导体基板的第一主面平行且与所述第一方向正交的第二方向的检测波形中分别检测到2个以上的峰的布局，将通过多个所述沟槽在所述半导体基板的第一主面所形成的阶梯差作为所述预定标记。