[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201811295177.3 申请日: 2018-11-01
公开(公告)号: CN109273545B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;赵雷 申请(专利权)人: 成都中建材光电材料有限公司
主分类号: H01L31/0392 分类号: H01L31/0392;H01L31/0463;H01L31/18
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 代理人: 李华;温黎娟
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法,它是通过不同的激光刻蚀方式,形成共用正/负极的两串电池并联的结构,具体为在玻璃衬底上依次沉积好透明导电氧化膜层、光吸收层后,进行激光P1刻划,然后在P1刻划的刻线槽内填充负性光刻胶;光刻胶工艺完毕后,进行P2刻划;P2刻划完成后,在光吸收层上沉积背电极层,然后进行P3刻划,通过激光刻蚀背电极层和光吸收层膜厚的一半;P3刻划完毕后,贴敷引流条和汇流条,通过背板及胶膜进行封装,完成碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作。本发明可以实现碲化镉薄膜太阳能电池组件以低电压的方式输出,使得电池组件输出电压降低一半或者甚至更多,方便市场推广及应用。
搜索关键词: 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 组件 制作方法
【主权项】:
1.一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法,其特征在于:包括下述步骤:(1)在玻璃衬底上依次沉积好透明导电氧化膜层、光吸收层后,进行激光P1刻划,通过激光刻蚀透明导电氧化膜层和光吸收层,然后在P1刻划的刻线槽内填充负性光刻胶;P1刻划后,电池基板上的子电池关于基板中线对称,共负极结构的P1刻线条数为双数,共正极结构的P1刻线条数为单数;(2)光刻胶工艺完毕后,进行P2刻划,通过激光刻蚀透明导电氧化膜层和光吸收层,P2刻划具体为:以P1刻划的刻线为基础线,在离基础线50‑100μm的距离刻蚀P2激光刻线;(3)P2刻划完成后,在光吸收层上沉积背电极层,然后进行P3刻划,通过激光刻蚀背电极层和光吸收层膜厚的一半,P3刻划具体为:以P2刻划的刻线为基础线,在离基础线50‑100μm的距离刻蚀P3激光刻线;(4)P3刻划完毕后,根据接线盒的个数贴敷引流条和汇流条,通过背板及胶膜进行封装,完成碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作。
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