[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811295411.2 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110164866B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;柳丞昱 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B41/30;H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成层叠结构；形成穿透所述层叠结构的沟道层；在所述沟道层中形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第二介电层；通过选择性蚀刻所述第一介电层形成开口；选择性蚀刻通过所述开口暴露的所述第二介电层；以及在所述开口中形成焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：形成层叠结构；形成穿透所述层叠结构的沟道层；在所述沟道层中形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第二介电层；通过选择性蚀刻所述第一介电层形成开口；选择性蚀刻通过所述开口暴露的所述第二介电层；以及在所述开口中形成焊盘。
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