[发明专利]一种用于NAND闪存数据的迭代差错控制方法和装置

摘要

本发明公开了一种用于NAND闪存数据的迭代差错控制方法和装置，其中的装置包括：读写控制器、迭代译码器和概率密度函数估计器。通过使用上述的用于NAND闪存数据的迭代差错控制方法和装置，可以有效地对NAND闪存数据的迭代差错进行控制，得到比较准确的译码结果。

主权项

1.一种用于NAND闪存数据的迭代差错控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤A、读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的门限电压值进行读取；步骤B、读写控制器根据所读取的门限电压值进行硬判决译码；步骤C、判断是否正确译码，如果是，则执行步骤M；否则，执行步骤D；步骤D、读写控制器根据所读取的门限电压值，使用初始基准概率密度函数计算似然比软值；步骤E、将当前的似然比软值输入迭代译码器进行一次迭代的软判决译码，并对译码结果进行硬判决；步骤F、判断是否正确译码，如果是，则执行步骤M；否则，执行步骤G；步骤G、判断当前的迭代译码次数是否为预设的迭代译码次数，如果是，则执行步骤J；否则，执行步骤H；步骤H、将硬判决后的值输入到概率密度函数估计器，所述概率密度函数估计器根据读写控制器所读取的门限电压值以及当前硬判决的值计算得到概率密度函数，并将计算得到的概率密度函数作为当前的概率密度函数；步骤I、根据所读取的门限电压值，使用当前的概率密度函数计算得到似然比软值，将计算得到的似然比软值作为当前的似然比软值，并将当前的迭代译码次数加一；返回执行步骤E；步骤J、判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数，如果是，则执行步骤M；否则，执行步骤K；步骤K、将当前的参考电压的级数增加一级，再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的门限电压值进行读取；步骤L、根据所读取的门限电压值以及初始基准概率密度函数计算得到当前的似然比软值；返回执行步骤E；步骤M、输出译码结果作为读出数据。