[发明专利]锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池

摘要

本发明公开了一种锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池，锡酸镉透明导电膜制备方法包括：在玻璃基板表面制备导电膜层，导电膜层包括掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层、催化剂层；对玻璃基板进行退火，以得到锡酸镉透明导电膜。本申请公开的上述技术方案，在锡酸镉透明导电膜的制备过程中加入催化剂，利用催化剂层中所包含的催化剂降低锡酸镉非晶薄膜晶化过程中所需的形核能，以降低退火温度。在加入催化剂时，为了避免锡酸镉晶粒尺寸过大而降低锡酸镉透明导电膜的透光性，则在其中掺杂杂质，其在退火过程中可以起到钉扎作用，以抑制晶粒尺寸过大，且可以得到尺寸比较均匀的晶粒，以获得透光率较高且电阻率较低的锡酸镉透明导电膜。