[发明专利]一种硅抛光片缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201811296337.6 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109187580B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 孙强;徐伟;沈思情;柏友荣;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201616 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上，从而检测硅晶抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒；所述检测方法简单易行，且不需要昂贵的专业设备，大大降低了生产成本；效果直观，可通过肉眼直接鉴别；培训成本低，见效快，可立即投入使用，因此适用于硅晶圆片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅抛光片缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅抛光片上，从而检测硅抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒。
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