[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 201811300277.0 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN110010168B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 元炯植 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体存储器件,其包括感测放大器、电压供应电路和电压供应控制电路。感测放大器可以通过从第一至第三电压供应线接收驱动电压而被激活,以检测和放大数据线和取反数据线的电压电平。电压供应电路可以响应于第一至第三电压供应信号和偏置控制信号而将驱动电压施加到第一至第三电压供应线。电压供应控制电路可以响应于激活信号来产生第一至第三电压供应信号和偏置控制信号。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:感测放大器,其适用于检测和放大数据线与取反数据线之间的电压电平差;电压供应电路,其适用于响应于第一电压供应信号至第三电压供应信号和偏置控制信号而经由第一电压供应线至第三电压供应线将驱动电压施加到所述感测放大器;以及电压供应控制电路,其适用于响应于激活信号来产生所述第一电压供应信号至所述第三电压供应信号和所述偏置控制信号,其中,所述感测放大器通过接收所述驱动电压而被激活。
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