[发明专利]热电器件和用于形成热电器件的方法在审
| 申请号： | 201811301386.4 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109755378A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | C.卡斯特兰;A.布雷梅泽;M.门格尔;A.尼德霍费尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了热电器件和用于形成热电器件的方法。该热电器件包括多个第一半导体台面结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构被串联电连接。热电器件进一步包括玻璃结构，其横向位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。所述玻璃结构将多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构横向地电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体台面 热电器件 导电性类型 玻璃结构 串联电连接 结构横向 地电 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种热电器件（100、200、400、600、700、800），其包括：多个第一半导体台面结构（110），其具有第一导电性类型；多个第二半导体台面结构（120），其具有第二导电性类型，其中多个第一半导体台面结构（110）中的第一半导体台面结构（110）和多个第二半导体台面结构（120）中的第二半导体台面结构（120）被串联电连接；以及玻璃结构（130），其包括硼硅酸盐玻璃、硼锌玻璃和低转变温度玻璃中的至少一个，其中玻璃结构（130）横向布置在多个第一半导体台面结构（110）中的第一半导体台面结构（110）和多个第二半导体台面结构（120）中的第二半导体台面结构（120）之间，其中玻璃结构（130）将多个第一半导体台面结构（110）中的第一半导体台面结构（110）与多个第二半导体台面结构（120）中的第二半导体台面结构（120）横向地电绝缘。
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