[发明专利]体声波谐振器及其制造方法在审
申请号: | 201811301901.9 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN109546985A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 庞慰;郑云卓 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H3/02;H03H3/007 |
代理公司: | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人: | 姜劲;谷惠敏 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种体声波谐振器及其制造方法。其中该体声波谐振器包括自下而上依次布置的硅衬底、底电极、压电层、顶电极,以及硅衬底中的空气腔,其特征在于,体声波谐振器还包括横向声阻抗结构,横向声阻抗结构的内边缘位于体声波谐振器的谐振有效区域之外。本发明的体声波谐振器及其制造方法,由于设置了横向声阻抗结构,可以对横向传播的声波模式加以限制,从而提高了谐振器的性能,还具有结构简单、工艺易行的优点。 | ||
搜索关键词: | 体声波谐振器 声阻抗 硅衬底 制造 声波谐振器 谐振 横向传播 声波模式 依次布置 有效区域 底电极 顶电极 空气腔 内边缘 谐振器 压电层 种体 | ||
【主权项】:
1.一种体声波谐振器,包括自下而上依次布置的硅衬底、底电极、压电层、顶电极,以及所述硅衬底中的空气腔,其特征在于,所述体声波谐振器还包括横向声阻抗结构,所述横向声阻抗结构的内边缘位于所述体声波谐振器的谐振有效区域之外。
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