[发明专利]一种改良的碳化硅单晶生长装置及在碳化硅单晶生长中的应用有效
| 申请号： | 201811302533.X | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109234803B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 梁晓亮;高超;李霞;宁秀秀;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 赵长林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种改良的碳化硅单晶生长装置及在碳化硅单晶生长中的应用，所述装置包括第一坩埚和第二坩埚，所述第二坩埚置于所述第一坩埚的内部；所述第二坩埚和第一坩埚之间形成密闭的间隙；所述第二坩埚的显气孔率大于第一坩埚的显气孔率；所述第二坩埚顶部设有可密封的盖，所述盖的最高点低于第一坩埚的最高点。本申请所提供的双层坩埚，将热量发生器(即第一坩埚)与原料容器(即第二坩埚)独立开来，且双层之间设有封闭空间，能够有效降低原料组份直接渗透至外部对保温层造成侵蚀损坏延长使用寿命，同时提高内部温场的对称性及均匀性，从而改善晶体的边缘质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 碳化硅单晶 生长装置 气孔率 延长使用寿命 热量发生器 改良 封闭空间 双层坩埚 原料容器 原料组份 生长 保温层 晶体的 均匀性 可密封 密闭 申请 温场 应用 侵蚀 外部 | ||
【主权项】：
1.一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述装置包括第一坩埚和第二坩埚，所述第二坩埚置于所述第一坩埚的内部；所述第二坩埚和第一坩埚之间形成密闭的间隙；所述第二坩埚的显气孔率大于第一坩埚的显气孔率；所述第二坩埚顶部设有可密封的盖，所述盖的最高点低于第一坩埚的最高点；所述第二坩埚的壁分为卡装部和传热部，所述卡装部设在第二坩埚的上部，所述卡装部与第一坩埚的内壁密封相连，所述传热部与第一坩埚的内壁之间设有间隙，所述间隙相对于外界密闭设置；所述第一坩埚的内壁上设有环状的支撑台，所述卡装部与支撑台抵接设置，在卡装部与支撑台之间设有用于调节高度的圆环。/n
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