[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811305399.9 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109860054B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 廖书翎;柯忠祁;高琬贻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述了具有介电部件的半导体器件结构和形成介电部件的方法。在一些实例中，通过ALD工艺以及随后的变温退火工艺来形成介电部件。介电部件可以具有高密度、低碳浓度和低k值。根据本发明形成的介电部件在随后的工艺中具有改进的抗蚀刻化学性、抗等离子体损害性和抗物理轰击性，同时保持用于目标电容效率的低k值。本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：使用原子层沉积(ALD)工艺形成层；以及在氮环境中退火所述层，包括：在将退火温度从第一温度增加至第二温度的同时退火所述层第一时间段；在第二温度下退火所述层第二时间段；以及在将退火温度从所述第二温度减小的同时退火所述层第三时间段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
