[发明专利]一种逆阻IGBT的芯片及制造方法在审
| 申请号： | 201811305722.2 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109346514A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴郁;何紫东;龚超 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种逆阻IGBT的芯片及制造方法。本发明在芯片边缘区制作孔槽与芯片背面集电极P+区相接触，采用物理气相淀积，将芯片放入充满硼离子的气体中，使硼离子沿着孔槽内壁进行横向扩散，直至孔槽之间的扩散结相接触，环绕终端区形成扩散隔离区。其区别于常规逆阻IGBT采用扩散法制作隔离区特点是：扩散时间短、不受衬底厚度影响、隔离区使用面积少、芯片面积利用率高。孔槽底部与背面集电极P+区相接触，解决了高压器件因衬底较厚，扩散隔离区底部很难与背面集电极相接触的难题，只需孔槽之间的扩散结相接触，形成整体扩散P+区，将芯片终端区与芯片边缘相隔离，避免芯片边缘区漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 孔槽 隔离区 逆阻IGBT 芯片边缘 集电极 芯片 硼离子 终端区 衬底 背面 芯片面积利用率 物理气相淀积 高压器件 横向扩散 厚度影响 芯片背面 漏电流 放入 内壁 制造 环绕 隔离 制作 | ||
【主权项】：
1.一种逆阻IGBT的芯片，其特征在于：逆阻IGBT的芯片终端区与芯片边缘之间孔槽阵列包围终端环绕式分布，孔槽阵列为一圈或者多圈；孔槽阵列环绕包裹终端区，单面孔槽结构即在IGBT的芯片从上面开孔：孔槽底部与背面P+区距离0μm‑50μm、相邻孔槽间距1μm‑30μm、多圈孔槽相邻圈之间的间距1μm‑20μm，双面孔槽结构即在IGBT的芯片两面同时开孔：表面相邻孔槽间距(122)1μm‑30μm、表面孔槽与背面孔槽的横向距离(121)1μm‑20μm、孔槽深度是衬底厚度的40％‑60％。
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