[发明专利]半导体装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201811306131.7 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111146332B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 翁宸毅;张境尹;王慧琳;谢晋阳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在基底上形成第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成盖层。在基底上形成连接结构贯穿盖层与第一金属间介电层。在连接结构与盖层上形成磁性隧穿结堆叠。对磁性隧穿结堆叠进行图案化制作工艺，以于连接结构上形成磁性隧穿结结构并移除盖层。在第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。第二金属间介电层围绕磁性隧穿结结构。一种半导体装置包括基底、连接结构、第一金属间介电层、磁性隧穿结结构与第二金属间介电层。第一金属间介电层的介电常数低于第二金属间介电层的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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