[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构

摘要

本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括具有沿着第一方向的最长尺寸的第一硅鳍片。具有最长尺寸的第二硅鳍片沿着第一方向。绝缘体材料处于第一硅鳍片与第二硅鳍片之间。栅极线沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二方向与第一方向正交，栅极线具有第一侧和第二侧，其中栅极线在绝缘体材料之上具有中断，该中断被电介质插塞填充。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：第一硅鳍片，其具有沿着第一方向的最长尺寸；第二硅鳍片，其具有沿着第一方向的最长尺寸；绝缘体材料，其处于第一硅鳍片与第二硅鳍片之间；栅极线，其沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二方向与第一方向正交，所述栅极线具有第一侧和第二侧，其中所述栅极线在所述绝缘体材料之上具有中断，所述中断被电介质插塞填充；沟槽接触部，其在所述栅极线的第一侧处沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，所述沟槽接触部在与所述电介质插塞侧向相邻的位置处在所述绝缘体材料之上连续；以及电介质间隔部，其侧向在所述沟槽接触部与所述栅极线的第一侧之间，所述电介质间隔部沿着所述电介质插塞和所述栅极线的第一侧是连续的，并且所述电介质间隔部具有与所述电介质插塞侧向相邻的宽度，所述宽度比与所述栅极线的第一侧侧向相邻的宽度更薄。