[发明专利]用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离在审
| 申请号： | 201811306761.4 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109860180A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | M.L.哈滕多夫;C.沃德;H.M.迈尔;T.加尼;C.P.奥思 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离。本公开的实施例在先进集成电路结构制造，并且特别是10纳米节点和更小的集成电路结构制造以及得到的结构的领域中。在示例中，一种集成电路结构包括包括硅的鳍片，所述鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分。第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，其中第一绝缘层是包括硅和氧的非掺杂绝缘层。第二绝缘层直接在第一绝缘层上，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，第二绝缘层包括硅和氮。电介质填充材料与直接在第一绝缘层上的第二绝缘层直接侧向相邻，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 鳍片 先进集成电路 结构制造 侧壁 集成电路结构 沟槽隔离 电介质 侧向相邻 填充材料 非掺杂 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍片，所述鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分；第一绝缘层，直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，其中第一绝缘层是包括硅和氧的非掺杂绝缘层；第二绝缘层，直接在第一绝缘层上，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，第二绝缘层包括硅和氮；以及电介质填充材料，与直接在第一绝缘层上的第二绝缘层直接侧向相邻，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811306761.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
